一、项目介绍

 该系统是用于真空镀膜的设备。我中心在传统磁控溅射设备的基础上改进的新型镀膜系统，改单靶溅射为对靶溅射，节省了靶材，提高了材料的利用率。同时在直流电源的基础增加了射频电源，使该系统既能镀导体膜，又可镀绝缘膜。形成“低温、高效、省材料、多功能”等优点。在以磁控溅射法镀膜的设备中，它处于国内领先地位，达到国际同类产品的先进水平。

主要技术指标：

1．反应室极限真空度≤6.6X10-6Pa。

2．衬底加热温度0—800℃连续可调，水冷。

3．磁控溅射靶对数：对靶、多靶。

4．射频电源：f=13.56MHz，直流电源：0.5—2KW。

二、市场预测

       主要用于制备新型薄膜材料，如半导体膜、光学膜、磁性膜等。可广泛应用于高速计算机、微波通讯、光通讯、信号处理和雷达系统等领域。

近年来，新型薄膜材料的研究方兴未艾，许多工业发达国家都视材料研究为科技进步的主要标志。随着高温超导、金钢石薄膜制备、超大规模集成电路材料、传感器件材料领域大量应用薄膜材料，对镀膜设备的需求也将会大大提高，而从性能价格比上，磁控溅射镀膜设备无疑是最具优势的。因此，我中心开发研制的该设备具有广泛的市场前景及良好的社会效益。

三、合作方式

       诚挚希望国外公司企业与我中心进行技术合作，联合生产。