高功率碳化硅电力电子器件关键技术研发和产业化

核心技术：

碳化硅功率二极管和功率晶体管的器件设计技术、工艺制造技术、功率模块设计技术、封装技术和可靠性技术。

主要技术经济指标

600V、1200V，20A的碳化硅功率二极管，通态压降1.5V～3V；

600V、1200V，5A以上的碳化硅晶体管，通态压降低于3V。

与国内比：碳化硅材料特性优越，碳化硅功率器件（>600V）拥有比目前通用的硅基器件好几百倍的特性。本项目将填补国内碳化硅功率二极管和功率晶体管的研发空白。

与国际比：国际上碳化硅的600V和1200V肖特基二极管成功地产业化，碳化硅功率MOS管的产业化也3年内将实现。本项目的技术指标达到国际前沿水平。

技术产业化的市场前景

技术产品用途及领域：主要用于替代现有的硅基功率器件，用于大功率电力电子装置中。目前硅基功率器件的市值约在1千亿元。碳化硅被公认为是下一代高压大功率电力电子器件，具有巨大的市场前景。

国际市场：在未来3~5年内，国际碳化硅功率器件的市场将由目前的3~4亿元人民币增长到20亿元人民币，年增长率达到70%~80%，具有巨大的市场潜力。

国内市场：国内电力电子器件市场约占国际市场的一半份额。

产业化条件：

本项目拟推荐为产学研重点培育项目，为技术产业化进行技术的研发和知识产权的积累，为3~5年后实现产业化进行提前布局和重点培育。

已有设备或生产线条件：国内由多家硅基功率器件和模块的生产企业，经过升级改造，可以用于碳化硅功率器件的研发、制造和产业化。

新上设备或生产线投入：无

生产技术队伍要求：具有电力电子器件和模块研发、生产和产业化的经验基础，并具备碳化硅功率器件开发和产业化的能力。

　　预计总投资：500万元