颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池

一、项目介绍

以低品位硅粉为原料采用SSP（颗粒硅带）晶化技术制备出适合晶体硅薄膜太阳电池用的低成本衬底。采用光学加热方法，经过预加热、级和第二级聚焦加热的方式将硅粉层表面的硅粉熔化，熔融的硅渗透到硅粉层底部并粘结在一起，通过传输的临时衬底把制得的颗粒硅带传出到加热室外面。颗粒硅带厚度和宽度可以任意调整，并能实现连续化生产。在制备的颗粒硅带上，利用快热化学气相沉积法（RTCVD）一层大约30微米左右的掺硼多晶硅薄膜，制备多晶硅薄膜电池活性层。RTCVD方法具有沉积速率快，可以达到5-10微米/秒，并且制备的多晶硅薄膜晶粒尺寸大等特点。以传统的体硅电池制备工艺（如磷扩散制结、上下电极、减反膜等）在外延活性层上制备多晶硅薄膜电池。该项目由中科院“百人计划”和国家攻关（重点）计划、863计划及广东省重大、科技攻关等资金支持，并与代表着欧洲水平的研究机构—德国夫朗霍费太阳能研究所（Fraunhofer ISE）进行国际合作，目前在20X20mm²面积上取得的转换效率为7.4%。 该项目现已获得国家发明专利。

二、市场分析

太阳电池市场由原来的单晶硅占据的主导地位逐渐到目前的单晶硅和多晶硅各自占据大约相同的市场，而逐渐商业化的多晶硅薄膜电池将在今后的太阳电池市场中愈来愈占据较多的份额。

三、投资条件与经济效益分析

颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池实现产业化的关键是颗粒硅带制备设备的放大生产，其它的电池制作工艺则完全可以采用标准的体硅电池工艺。

与传统的体硅电池相比，目前尽管颗粒硅带多晶硅薄膜电池效率仍较低，但是它具有成本低、性能稳定等特点。传统的体硅电池的成本大约在35—40元人民币/峰瓦，而颗粒硅带则可实现8—10元人民币/峰瓦。

四、合作方式

该项目可以以合作开发或合作办厂的方式共同进行开发。